產(chǎn)品簡(jiǎn)介
PSM-LHe系列液氦低溫探針臺(tái)能夠?yàn)榘雽?dǎo)體芯片的電學(xué)參數(shù)測(cè)試提供一個(gè)4K-475K高低溫真空測(cè)試環(huán)境,通過(guò)外接不同的電學(xué)測(cè)量?jī)x器,可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及IV曲線等參數(shù)檢測(cè),用于低溫真空環(huán)境下的芯片、晶圓和器件的非破壞性電學(xué)測(cè)試。
PSM-LHe系列液氦低溫探針臺(tái)能夠?yàn)榘雽?dǎo)體芯片的電學(xué)參數(shù)測(cè)試提供一個(gè)4K-475K高低溫真空測(cè)試環(huán)境,通過(guò)外接不同的電學(xué)測(cè)量?jī)x器,可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及IV曲線等參數(shù)檢測(cè),用于低溫真空環(huán)境下的芯片、晶圓和器件的非破壞性電學(xué)測(cè)試。
液氦低溫探針臺(tái)在科學(xué)研究和技術(shù)開(kāi)發(fā)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它能夠在低溫環(huán)境下對(duì)樣品進(jìn)行各種非破壞性的物理性能和電學(xué)性能測(cè)試,幫助研究人員深入了解材料或者器件的各種物理性能和電學(xué)性能,從而為新材料的研發(fā)和應(yīng)用提供重要的數(shù)據(jù)支持。
PSM-LHe系列液氦低溫探針臺(tái)能夠?yàn)榘雽?dǎo)體芯片的電學(xué)參數(shù)測(cè)試提供一個(gè)4K-475K高低溫真空測(cè)試環(huán)境,通過(guò)外接不同的電學(xué)測(cè)量?jī)x器,可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及IV曲線等參數(shù)檢測(cè),用于低溫真空環(huán)境下的芯片、晶圓和器件的非破壞性電學(xué)測(cè)試。
特點(diǎn)
? 液氦低溫真空探針臺(tái),腔體真空度可達(dá)到10E-4torr。
? 探針臂的位移調(diào)節(jié)在真空腔外操作,可以在不破壞真空的情況下,切換樣品上的不同器件進(jìn)行測(cè)試。
? 獨(dú)特的探針臂 X-Y-Z-R四維調(diào)節(jié),能滿足最大4英寸樣品的測(cè)試。最多可同時(shí)安裝6個(gè)探針臂,探針臂可選直流臂、光纖臂、微波臂等。
? 真空腔材質(zhì)為鋁制材料,能夠有效減小外界的電磁干擾提高測(cè)試的精準(zhǔn)度和穩(wěn)定性。
? 探針臂采用三同軸接頭,漏電性能好,實(shí)測(cè)漏電流小于30fA@1V@4K--475K。
? 測(cè)試溫度范圍寬,最大支持4K-475K連續(xù)變溫。